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快速搜索: 808nm 1~5W TO3     1.25Gbps 1310nmFP LD TO-CAN     155M PIN-TIA (1)     

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封装结构:TO46/TO5
应用于CATV模拟接收机、光功率计、监控和测量仪器

      
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55um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤0.5nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
75um Mini TO-CAN PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤0.6nA
响应度 λ=1310nm,Pin=-30dBm ≥0.85A/W
-3dBm带宽 RL=50Ω ≥3.0GHz
75um TO46 PD(3.5mm管帽)
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤0.6nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
75um InGaAs PIN PD (2.64mm管帽)
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤0.6nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.90A/W
平行光用75um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤0.6nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
210um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤1nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
300um Mini TO-CAN PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤1nA
响应度 λ=1310nm,Pin=-30dBm ≥0.85A/W
-3dBm带宽 RL=50Ω ≥1.5GHz
300um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤1nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
平行光用300um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤1nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
500um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤2nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
1000um TO46 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤5nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
2000um TO5 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤8nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
3×4mm TO5 PD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=-5V ≤15nA
响应度 VR=-5V,λ=1310nm ≥0.85A/W
50um TO46 APD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=VBR-3,φe=0 ≤10nA
响应度 M=1,λ=1310nm ≥0.85A/W
反向击穿电压 ID=10uA,φe=0 40~45V
110um TO46 APD
主要参数 测试条件
暗电流 VR=VBR-3,φe=0 ≤15nA
响应度 M=1,λ=1310nm ≥0.85A/W
反向击穿电压 ID=100uA,φe=0 40~50V

封装结构:4PIN/5PIN TO46
速率:155M/1.25G/2.5Gb/s
应用于光纤通信FTTX网络,特别是PON网络的光接收器件

      
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10G APD-TIA平窗
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V Typ:27mA,Max:34mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 20~40V
灵敏度 10.3Gb/s,ER=6.4
BER=10-3,PRBS=231-1,Vbr-3
≤-30dBm
155M PIN-TIA (1)
主要参数 测试条件
工作电压   3.0~5.5V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 15~20mA
输出电压 Pin=-30dBm,RL=100Ω ≤400mV
155M PIN-TIA (2)
主要参数 测试条件
工作电压   3.0~5.5V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 22~32mA
输出电压 Pin=-30dBm,RL=100Ω  ≤300mV
1.25G PIN-TIA
主要参数 测试条件
工作电压   3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 23~35mA
输出电压 Pin=-26dBm,RL=100Ω ≤250mV
2.5G PIN TIA (1)
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 38~48mA
输出电压 Pin=-26dBm,RL=100Ω ≤250mV
2.5G PIN-TIA (2)
主要参数 测试条件
工作电压   3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 13~23mA
输出电压 Pin=-15dBm,RL=100Ω ≤270mV
10G PIN-TIA
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 20~34mA
输出电压 λ=1310nm,Pin=-18dBm,RL=100Ω TYP:250mV;MAX:285mV
-3dB带宽 RL=50Ω,Pin=-28dBm
MIN:7.5GHz
灵敏度 10.3125Gb/s,λ=1310nm,ER=6dB
BER=10-12,PRBS=231-1
TYP:-17dBm;MAX:-16dBm
155M APD-TIA
主要参数 测试条件
工作电压   3.0~5.5V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 22~32mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 40~50V
灵敏度 155Mb/s,λ=1310nm,ER=9
BER=10-10,PRBS=223-1,Vbr-3
≤-43dBm
1.25G APD-TIA
主要参数 测试条件
工作电压   3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 23~33mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 40~50V
灵敏度 1.25Gb/s,λ=1310nm,ER=9
BER=10-10,PRBS=223-1,Vbr-3
≤-33dBm
1.25G Burst Mode APD-TIA
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V ≤55mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 38~53V
灵敏度 1.25Gb/s,λ=1550nm,ER=9
BER=10-10,PRBS=223-1,Vbr-3
TYP:-35dBm
2.5G APD-TIA -2
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 13~23mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 38~53V
灵敏度 2.5Gb/s,λ=1490nm,ER=9
BER=10-10,PRBS=223-1,Vbr-3
≤-33dBm
2.5G APD-TIA -3
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V 38~50mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 38~53V
灵敏度 2.5Gb/s,λ=1490nm,ER=9
BER=10-10,PRBS=223-1,Vbr-3
≤-33dBm
10G APD-TIA
主要参数 测试条件
工作电压 3.0~3.6V
工作电流 No load,Vcc=3.3V Typ:27mA,Max:34mA
击穿电压 Id=10uA,Vcc off 20~40V
灵敏度 10.3Gb/s,ER=6.4
BER=10-3,PRBS=231-1,Vbr-3
≤-30dBm

封装结构:TO18/TO5/TO3/C-mount
应用于激光测量、泵浦、医疗、红外照明和防伪

      
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650nm 10mW
阈值电流 工作电流
≤26mA ≤40mA
808nm 200mW TO18
阈值电流 工作电流
≤80mA ≤280mA
808nm 300mW TO18
阈值电流 工作电流
≤80mA ≤380mA
808nm 500mW TO18
阈值电流 工作电流
≤150 ≤650
808nm 500mW TO5 with fiber
阈值电流 工作电流
≤150mA ≤650mA
808nm 1W TO5
阈值电流 工作电流
≤300mA ≤1300mA
808nm 500mW TO5
阈值电流 工作电流
≤150mA ≤650mA
808nm 2W TO5
阈值电流 工作电流
≤500mA ≤2500mA
808 500mW C-mount
阈值电流 工作电流
≤150mA ≤650mA
808nm 1~5W C-mount
输出功率 阈值电流 工作电流
1W ≤300mA ≤1300mA
2W ≤500mA ≤2500mA
3W ≤700mA ≤3700mA
5W ≤1000mA ≤6000mA
808nm 1~5W TO3
输出功率 阈值电流 工作电流
1W ≤300mA ≤1300mA
2W ≤500mA ≤2500mA
3W ≤700mA ≤3700mA
5w ≤1000mA ≤6000mA
808nm 2W CT-mount
阈值电流 工作电流
≤500mA ≤2500mA
808nm10W BCT-mount
阈值电流 工作电流
≤2200mA ≤12000mA
830nm 1200mW C-mount
阈值电流 工作电流
≤280mA ≤1400mA
940nm 3000mW C-mount
阈值电流 工作电流
≤400mA ≤3700mA
948nm 5000mw C-mount
阈值电流 工作电流
≤800mA ≤6000mA

980nm 200mW
阈值电流 工作电流
≤100mA ≤400mA
980nm 3000mW TO3
阈值电流 工作电流
≤450mA ≤3800mA
980nm 5W C-mount
阈值电流
工作电流
≤800mA
≤6500mA
此处是简介
      
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1.25Gbps 1310nmFP LD TO-CAN

Forward current(LD) Ifl mA 150

Reverse voltage(LD) Vr V 2

MaximumPower Po mW 10


2.5Gbps 1310nm DFB LD TO-CANForward current(LD) Ifl mA 150
Reverse voltage(LD) Vr V 2
Maximum Power Po mW 10
Solder Reflow Temperature ℃ 260 10 seconds max
2.5Gbps 1490nm DFB LD TO-CANForward current(LD) Ifl mA 100
Reverse voltage(LD) Vr V 2
Maximum Power Po mW 20
Solder Reflow Temperature ℃ 260 10 seconds max
1.25Gbps 1550nm FP LD TO-CANForward current(LD) Ifl mA 150
Reverse voltage(LD) Vr V 2
Maximum Power Po mW 10

应用于激光印刷和红外照明

      
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830nm光纤耦合激光器50um阶跃光纤耦合,光纤输出功率1000mW
808nm 2~10W光纤耦合激光器400um阶跃光纤或光纤束耦合,光纤输出功率2W、3W、5W、10W未上传
特点:宽动态范围、高响应度、低暗电流、尾纤/插拔式可选
应用:应用于CATV模拟接收机、光功率计、监控和测量仪器
      
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50um光敏面尾纤雪崩探测器

特点: 
     •宽动态范围
     •高响应度
     •低暗电流、低回损
应用:
     •低成本OTDR
     •光传感

75um光敏面尾纤耦合探测器

特点:
     •宽动态范围
     •高响应度
     •低暗电流
     •宽温度范围
应用:
     •CDMA/CATV接收
     •光仪表、光测量监控

300um光敏面插拔式探测器

特点:
     •300um光敏面
     •低暗电流
     •高响应度
     •FC/SC接口可选
应用:
     •光功率计 光仪表

封装结构:TO46/TO5501/TO5/TO8
应用于短波长的测量仪器、仪表、生物检测
      
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GT101系列光敏面积φ0.5mm~φ8mm、1×1mm、3×3mm
680×480um光敏面:680um×480um,TO46封装
1mm TO46 Si-PD光敏面:φ1000um,TO46大球透镜封装
封装结构:TO46/LCC
特征:高速响应、高增益、低结电容、低噪声,正照平面型芯片结构,200um/500um光敏面可选,TO46封装和LCC陶瓷贴片封装可选,可选内置滤波片
应用:激光测距、激光告警、激光雷达等
      
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TO封装I型硅雪崩光电二极管

峰值响应波长为800nm,可内置635nm窄带滤波;反向击穿电压80V~200V,按每40V分型;200um/500um光敏面积可选;2PIN或3PIN TO46封装可选;平窗管帽和球透镜管帽可选;平窗器件1.6/2.1mm光学参考面可选。

TO封装II型硅雪崩光电二极管

峰值响应波长为905nm,可内置905nm窄带滤波;反向击穿电压80V~200V,按每40V分型;200um/500um光敏面积可选;2PIN或3PIN TO46封装可选;平窗管帽和球透镜管帽可选;平窗器件1.6/2.1mm光学参考面可选。

TO封装IV型硅雪崩光电二极管峰值响应波长为905nm,可内置905nm窄带滤波;反向击穿电压250V~310V和大于310V可选;200um/500um光敏面积可选;2PIN或3PIN TO46封装可选;平窗管帽和球透镜管帽可选;平窗器件1.6/2.1mm光学参考面可选。
LCC3封装I型硅雪崩光电二极管

峰值响应波长为800nm,可内置635nm窄带滤波;反向击穿电压80V~200V,按每40V分型;200um/500um光敏面积可选。

LCC3封装II型硅雪崩光电二极管

峰值响应波长为905nm,可内置905nm窄带滤波;反向击穿电压80V~200V,按每40V分型;200um/500um光敏面积可选。

LCC6封装I型硅雪崩光电二极管峰值响应波长为800nm,可内置635nm窄带滤波;反向击穿电压80V~200V,按每40V分型;200um/500um光敏面积可选。
LCC6封装II型硅雪崩光电二极管峰值响应波长为905nm,可内置905nm窄带滤波;反向击穿电压80V~200V,按每40V分型;200um/500um光敏面积可选。

承接808nm/980nm TO18/TO5 LD OEM/ODM